[18p-PB5-1~36] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [18p-PB5-9] GaNテンプレート基板上の自然酸化膜処理が及ぼす
ミストCVD法によるε-Ga₂O₃薄膜成長への影響

〇伊藤 雄祐¹、田原 大祐¹、新田 悠汰¹、西中 浩之¹、吉本 昌広¹ (1.京工繊大)

キーワード：酸化ガリウム、窒化ガリウム、自然酸化膜

超ワイドバンドギャップ半導体として知られている酸化ガリウム(Ga₂O₃, Eg = 約5.0 eV)は、5つの結晶構造(α、β、γ、δ、ε)を持つ結晶多形である。その中でもε-Ga₂O₃は準安定相であり、強誘電体特性や自発分極を示すなどの特性から近年注目を集めている。
本発表では、GaNテンプレート基板上の自然酸化膜に対して、BHF洗浄、酸素プラズマ処理、アニール処理を施し、その上にミストCVD法を用いてε-Ga₂O₃薄膜成長を試みた。