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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[19a-B11-1~9] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

2019年9月19日(木) 09:00 〜 11:30 B11 (B11)

内田建(東大)

10:45 〜 11:00

[19a-B11-7] シリコンMOS界面のチャージポンピングEDMRにおける信号強度の温度依存性

〇堀匡寛¹、土屋敏章¹、小野行徳¹ (1.静大電研)

キーワード：界面欠陥、チャージポンピング、EDMR