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[19a-E301-2] Allイオン注入プロセスを用いた1200V縦型GaNプレーナMOSFET
キーワード:窒化ガリウム、イオン注入、MOSFET
Allイオン注入プロセスによって形成した縦型GaNプレーナMOSFETの特性について報告する。活性層はチャネル長1 um、セルピッチ5 umの微細構造とし、pウェル領域にMg、n+ソース領域にSi、JFET領域にOをイオン注入して形成した。正常にFET動作しており、オン抵抗は2.78 mΩ cm2、しきい値は約2.5V、耐圧は約1200Vであった。よって、低抵抗かつ高耐圧な縦型GaNプレーナMOSFETを実現し得ることが実証された。