[19a-E301-1~9] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[19a-E301-2] Allイオン注入プロセスを用いた1200V縦型GaNプレーナMOSFET

〇田中 亮¹、高島 信也¹、上野 勝典¹、松山 秀昭¹、福島 悠太¹、江戸 雅晴¹、中川 清和² (1.富士電機、2.山梨大)

キーワード：窒化ガリウム、イオン注入、MOSFET

Allイオン注入プロセスによって形成した縦型GaNプレーナMOSFETの特性について報告する。活性層はチャネル長1 um、セルピッチ5 umの微細構造とし、pウェル領域にMg、n+ソース領域にSi、JFET領域にOをイオン注入して形成した。正常にFET動作しており、オン抵抗は2.78 mΩ cm²、しきい値は約2.5V、耐圧は約1200Vであった。よって、低抵抗かつ高耐圧な縦型GaNプレーナMOSFETを実現し得ることが実証された。