[19a-E301-1~9] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[19a-E301-3] Fully ion implanted normally-off GaN DMOSFETs-2

〇Michitaka Yoshino¹, Yuto Ando², Manato Deki³, Toru Toyabe⁴, Kazuo Kuriyama¹, Yoshio Honda³, Tomoaki Nishimura¹, Hiroshi Amano^2,3, Tetsu Kachi³, Tohru Nakamura^1,3 (1.Hosei Univ., 2.Nagoya Univ., 3.Nagoya Univ. IMaSS, 4.Toyo Univ.)

Keywords:GaN, DMOSFET, Ion implantation

自立GaN基板にイオン注入法でｐ型とｎ型層を形成し，DMOSFETを作製した．イオン注入p型層の均一性を，DMOSFETの閾値分布によって検討したので，その結果について報告する．