[19a-E301-1~9] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[19a-E301-3] イオン注入ノーマリーオフ GaN DMOSFET (2)

〇吉野 理貴¹、安藤 悠人²、出来 真斗³、鳥谷部 達⁴、栗山 一男¹、本田 善央³、西村 智朗¹、天野 浩^2,3、加地 徹³、中村 徹^1,3 (1.法政大、2.名大院工、3.名大IMaSS、4.東洋大)

キーワード：窒化ガリウム、二重拡散金属酸化物電界効果トランジスター、イオン注入

自立GaN基板にイオン注入法でｐ型とｎ型層を形成し，DMOSFETを作製した．イオン注入p型層の均一性を，DMOSFETの閾値分布によって検討したので，その結果について報告する．