[19a-E301-1~9] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[19a-E301-4] Distribution of carrier lifetime and electroluminescence in a GaN vertical pn diode

〇(M1)Yuto Yasuda¹, Shigeyoshi Usami², Atsushi Tanaka², Hiroshi Amano², Masashi Kato^1,2 (1.NITech., 2.Nagoya Univ.)

Keywords:semiconductor, GaN, carrier lifetime

縦型pnダイオードにおいて、順方向電圧を印加した際のオン抵抗に影響するキャリアライフタイムは重要なパラメータである。本研究ではGaN基板上にGaNをエピタキシャル成長させた縦型pnダイオードのキャリア寿命分布を測定することで、ダイオード特性に影響を及ぼす因子を検討した。