The 80th JSAP Autumn Meeting 2019

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Oral presentation

13 Semiconductors » 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[19a-E301-1~9] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

Thu. Sep 19, 2019 9:00 AM - 12:00 PM E301 (E301)

Masashi Kato(Nagoya Inst. of Tech.)

10:30 AM - 10:45 AM

[19a-E301-4] Distribution of carrier lifetime and electroluminescence in a GaN vertical pn diode

〇(M1)Yuto Yasuda1, Shigeyoshi Usami2, Atsushi Tanaka2, Hiroshi Amano2, Masashi Kato1,2 (1.NITech., 2.Nagoya Univ.)

Keywords:semiconductor, GaN, carrier lifetime

縦型pnダイオードにおいて、順方向電圧を印加した際のオン抵抗に影響するキャリアライフタイムは重要なパラメータである。本研究ではGaN基板上にGaNをエピタキシャル成長させた縦型pnダイオードのキャリア寿命分布を測定することで、ダイオード特性に影響を及ぼす因子を検討した。