[19a-E301-1~9] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[19a-E301-5] 低転位密度GaN基板によるp-n接合ダイオードのオン抵抗低減効果

〇太田 博¹、浅井 直美¹、吉田 丈洋²、堀切 文正²、成田 好伸²、三島 友義¹ (1.法政大、2.サイオクス)

キーワード：低転位密度GaN基板、p-n接合ダイオード、オン抵抗低減

全面を低転位化した新開発の基板と通常のボイド形成剥離(Void-Assisted Separation, VAS)法によるGaN基板上にp-n接合エピタキシャル層を形成し、低転位化によるダイオード特性の違いを評価した。その結果、オン抵抗が低減できる効果が確認された。貫通転位の周囲でフォトンリサイクリングによる導電率変調が低下することがこの変化の主要因であると推定できる。