[19a-E301-1~9] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[19a-E301-8] GaN-on-GaN HEMTs with High Breakdown Critical Fields

〇(M2)Atsuki Aoai¹, Akio Yamamoto¹, Hirokuni Tokuda¹, Narihito Okada², Kazuyuki Tadatomo², Joel Asubar¹, Masaaki Kuzuhara¹ (1.Fukui Univ., 2.Yamaguchi Univ.)

Keywords:GaN, HEMT, breakdown voltage

AlGaN/GaN HEMT は高電圧動作が可能な次世代のパワーデバイスとして期待されている。しかし、これまで試作されたAlGaN/GaN HEMTの実効破壊電界は、用いる基板材料によらず1 MV/cm以下に留まることが知られている。本研究では、自立半絶縁性GaN基板上にAlGaN層のみを再成長したHEMTを試作した結果、実効破壊電界として1.3 MV/cmの良好な耐圧特性が得られたので報告する。