[19a-E301-1~9] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[19a-E301-8] 自立GaN基板上に作製したGaN-on-GaN HEMTの絶縁破壊電界評価

〇(M2)青合 充樹¹、山本 暠勇¹、徳田 博邦¹、岡田 成仁²、只友 一行²、アスバル ジョエル¹、葛原 正明¹ (1.福井大院工、2.山口大院工)

キーワード：GaN、HEMT、破壊電界

AlGaN/GaN HEMT は高電圧動作が可能な次世代のパワーデバイスとして期待されている。しかし、これまで試作されたAlGaN/GaN HEMTの実効破壊電界は、用いる基板材料によらず1 MV/cm以下に留まることが知られている。本研究では、自立半絶縁性GaN基板上にAlGaN層のみを再成長したHEMTを試作した結果、実効破壊電界として1.3 MV/cmの良好な耐圧特性が得られたので報告する。