[19a-E301-1~9] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[19a-E301-9] AlGaN/GaN MOS HEMTの周波数特性評価

〇小澤 渉至¹、アスバル ジョエル¹、徳田 博邦¹、八木下 洋平²、川野 陽一²、葛原 正明¹ (1.福井大院工、2.富士通研)

キーワード：GaN、電流遮断周波数、最大発信周波数

AlGaN/GaN HEMTは低オン抵抗、高耐圧特性を有するパワーデバイスとして期待されている
。現在マイクロ波帯で動作するHEMTは主にゲートをショットキー障壁金属で構成したMES-HEMTである。本研究では、ゲート電極下にAl₂O₃膜を持つAlGaN/GaN MOS-HEMTを試作し、その直流特性およびマイクロ波帯で測定したSパラメータから算出した電流遮断周波数(f_t)と最大発振周波数(f_max)について検討したので報告する。