[19a-E305-1~12] 13.3 絶縁膜技術

[19a-E305-10] TiN/Hf_0.5Zr_0.5O₂/Si MFSキャパシタの電気特性に与える基板タイプの影響

〇トープラサートポン カシディット¹、田原 建人¹、福井 太一郎¹、竹中 充¹、高木 信一¹ (1.東大工)

キーワード：強誘電体、キャパシタ、ヒステリシス

HfO₂系強誘電体が発見されて以来、CMOS LSIにおけるメモリやロジックデバイスを目指した研究が盛んに行われている。一方、強誘電体を用いたデバイスの特性は従来のデバイスより複雑になるため、電気特性の基礎的理解が重要となる。本研究は、HfO₂系強誘電体の強誘電性がSi基板上のMFS（金属/強誘電体/半導体）キャパシタの電気特性に与える影響について報告する。