[19a-E305-1~12] 13.3 絶縁膜技術

[19a-E305-2] (NH₄)₂S処理理前の前処理がAl₂O₃/InGaAs MOS界面に与える影響

〇尹 尚希¹、加藤 公彦¹、横山 千晶¹、安 大煥¹、竹中 充¹、高木 信一¹ (1.東京大学)

キーワード：InGaAs、前処理、S パシベーション

Al₂O₃/InGaAsの界面に対して(NH₄)₂S処理の前に行われる化学的な前処理がS処理に与える影響を調べた。その結果、 (NH₄)₂S処理をする前の前処理が(NH₄)₂S処理の効果に影響を与え、その中でもHClやBHFを用いた前処理後に(NH₄)₂S処理をするとDitが少ないことが分かった。XPSの分析結果、ヒ素酸化物を十分除去されていない状態での(NH₄)₂S処理は、残留S原子に関連した界面準位の発生に繋がることが明らかとなった。