[19a-E305-1~12] 13.3 絶縁膜技術

[19a-E305-5] バイアス印加硬X線光電子分光法によるHfO₂/SiO₂界面ダイポール変調の評価

〇野平 博司¹、和⽥ 励虎¹、保井 晃²、宮田 典幸³ (1.都市大工、2.高輝度光科学研究センター、3.産総研)

キーワード：電圧印加硬X線光電子分光、界面ダイポール、MIM構造

Ir/HfO₂/TiO₂/SiO₂/TaN/SiO₂/Si(100)構造の試料を用いて、変調層である界面ダイポールのバイアス印加による変化を電圧印加硬X線光電子分光測定（SPring-8、BL47XU）により評価した。その結果、バイアス印加時間が短い場合にはHf 3dのピークの結合エネルギーに変化が見られないが、長時間 −3 Vを印加した後には僅かなポテンシャル差が残留していた。詳細な解析結果は当日報告する。