10:00 〜 10:15
[19a-E305-5] バイアス印加硬X線光電子分光法によるHfO2/SiO2界面ダイポール変調の評価
キーワード:電圧印加硬X線光電子分光、界面ダイポール、MIM構造
Ir/HfO2/TiO2/SiO2/TaN/SiO2/Si(100)構造の試料を用いて、変調層である界面ダイポールのバイアス印加による変化を電圧印加硬X線光電子分光測定(SPring-8、BL47XU)により評価した。その結果、バイアス印加時間が短い場合にはHf 3dのピークの結合エネルギーに変化が見られないが、長時間 −3 Vを印加した後には僅かなポテンシャル差が残留していた。詳細な解析結果は当日報告する。