2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.3 絶縁膜技術

[19a-E305-1~12] 13.3 絶縁膜技術

2019年9月19日(木) 09:00 〜 12:15 E305 (E305)

藤井 章輔(東芝メモリ)、堀田 育志(兵庫県立大)

10:00 〜 10:15

[19a-E305-5] バイアス印加硬X線光電子分光法によるHfO2/SiO2界面ダイポール変調の評価

野平 博司1、和⽥ 励虎1、保井 晃2、宮田 典幸3 (1.都市大工、2.高輝度光科学研究センター、3.産総研)

キーワード:電圧印加硬X線光電子分光、界面ダイポール、MIM構造

Ir/HfO2/TiO2/SiO2/TaN/SiO2/Si(100)構造の試料を用いて、変調層である界面ダイポールのバイアス印加による変化を電圧印加硬X線光電子分光測定(SPring-8、BL47XU)により評価した。その結果、バイアス印加時間が短い場合にはHf 3dのピークの結合エネルギーに変化が見られないが、長時間 −3 Vを印加した後には僅かなポテンシャル差が残留していた。詳細な解析結果は当日報告する。