[19a-E305-1~12] 13.3 Insulator technology

△ [19a-E305-7] Resistive switching properties observed in Al/metal oxide/Si structure

〇Ryota Teragaki¹, Kohei Kobayashi¹, Haruhiko Yoshida¹, Koji Arafune¹, Teruo Kanki², Yasushi Hotta¹ (1.Univ. of Hyogo, 2.ISIR-Sanken)

Keywords:Resistive Random Access Memory(RRAM), Resistive Switching, Silicate

次世代の不揮発性メモリとして抵抗変化型メモリ(RRAM)の開発が進められている。そこで、新たにAl/金属酸化物/Si (Al/MOx/Si)構造の金属シリサイドシード方式のRRAMを提案し、それらの問題に解決に取り組んでいる。この方式では、エレクトロフォーミング処理の省略化や貴金属電極を用いない素子を実現できると考えている。今回は、シリケイト形成エネルギーが異なる金属酸化物によるMIS構造の抵抗変化現象の系統的調査を行ったので報告する。