[19a-E310-1~10] 15.4 III-V-group nitride crystals

[19a-E310-5] Development of GaN Waveguide Wavelength Filter for Quantum Optical Application

〇Tenta Komatsu¹, Masafumi Kihira¹, Toshiki Hikosaka², Shinya Nunoue², Masahiro Uemukai¹, Tomoyuki Tanikawa¹, Ryuji Katayama¹ (1.Osaka Univ., 2.Toshiba Corp.)

Keywords:Wavelength Filter, Optical Wavegide, Gallium Nitride

GaNなどの窒化物半導体は、高い電気光学効果、大きな光学非線形性および光損傷耐性を有するため、電界印加型マハツェンダ干渉計や高効率な光パラメトリック増幅器（OPA）を同一基板上に作製することができ、量子ゲートの集積化に適している。本研究では、GaN OPAを用いて発生した810 nmのシグナル光を利用することを想定し、不要となる405 nmのポンプ光を除去するための導波路型波長フィルタを報告する。