[19a-E311-1~8] 6.3 Oxide electronics

[19a-E311-3] Threshold selector operation brought about by CoO/ITO double layer structures

〇Shuhei Saitoh¹, kentaro kinoshita¹ (1.Tokyo Univ. of sci)

Keywords:Threshold selector, Resistive randum access memory

抵抗ランダムアクセスメモリ(ReRAM)デバイスを高密度で使用するための最も有効なアレイ構造がクロスポイントアレイ構造である. しかし,クロスポイント構造には, 非選択セルを回り込んで電流が流れる, スニークパス電流の問題があるため, 各メモリセルにセレクタデバイスを直列接続する必要がある. 本研究では, 酸化コバルト(CoO)/SnドープIn₂O₃ (ITO)の薄膜2層構造において, ノンポーラ型のセレクタ動作を確認したので特性の詳細について報告する.