[19a-E317-1~10] 9.2 Nanoparticles, Nanowires and Nanosheets

[19a-E317-7] Fabrication and Characterization of a Suspended Nanowire Device with Back-Gate

〇(D)Wataru Tomita^1,2, Satoshi Sasaki¹, Kouta Tateno¹, Hajime Okamoto¹, Hiroshi Yamaguchi^1,2 (1.NTT-BRL, 2.Tohoku Univ.)

Keywords:semiconductor, nanowire, nanomechanics

当研究室で用いられてきたインクジェットプリンタ利用によるナノワイヤ集積法を発展させることで直下にゲート電極をもつInAsナノワイヤの架橋構造デバイスを作製し、その共振特性を測定した。低温下で10000という高いQ値を示し、また加振強度変調によるダフィング非線形性やゲートDC電圧変調による共振周波数シフトが観測された。