[19a-PA3-1~10] 3.13 Semiconductor optical devices

[19a-PA3-2] Temperature dependence of GaInAsP / GaInAsP SCH-MQW laser diode on wafer bonded InP/Si substrate

〇Takahiro Ishizaki¹, Xu Han¹, Masaki Matsuura¹, Koki Tsushima¹, Takuto Shirai¹, Kazuhiko Shimomura¹ (1.Sophia University)

Keywords:laser diode, InP/Si, Direct bonding

情報伝送量の増加に伴い光インターコネクションの実現が望まれる。光インターコネクション実現のためにSi基板上に光デバイスが集積されるが、Siは間接遷移半導体のため発光デバイスに不向きである。そこで我々はInPとSiを直接貼り付けした上で、InP面にⅢ-Ⅴ族デバイスをMOVPE成長させる方法を提案している。これによりSiとInP系の格子定数差などの問題を解決している。本研究では、InP/Si基板上MQWレーザの高温度発振特性について述べる。