[19a-PA3-1~10] 3.13 Semiconductor optical devices

[19a-PA3-3] PL characteristics of InAs QDs structure grown on directly bonded InP/Si and InP substrate

〇Takuto Shirai¹, Xu Han¹, Masaki Matsuura¹, Takahiro Ishizaki¹, Koki Tsushima¹, Kazuhiko Shimomura¹ (1.Sophia Univ.)

Keywords:quantum dot, InP/Si, Direct bonding

近年、電気配線を光配線に置き換えるシリコンフォトニクスに関する研究が盛んに行なわれている。これに対し、我々は薄膜InP層とSi基板を直接貼付法によって貼合わせ、InP系結晶の成長を行う手法を提案してきた。本研究では、InP/Si基板とInP基板上にInAs量子ドットを成長し、両成長基板の表面状態の比較、並びにレーザ構造を成長しPL測定の比較を行ったので報告する。