[19a-PA3-1~10] 3.13 半導体光デバイス

[19a-PA3-3] InP基板及び直接貼付InP/Si基板上自己形成InAs量子ドットのPL特性について

〇白井 琢人¹、韓 旭¹、松浦 正樹¹、石崎 隆浩¹、対馬 幸樹¹、下村 和彦¹ (1.上智大理工)

キーワード：量子ドット、InP/Si、直接貼付

近年、電気配線を光配線に置き換えるシリコンフォトニクスに関する研究が盛んに行なわれている。これに対し、我々は薄膜InP層とSi基板を直接貼付法によって貼合わせ、InP系結晶の成長を行う手法を提案してきた。本研究では、InP/Si基板とInP基板上にInAs量子ドットを成長し、両成長基板の表面状態の比較、並びにレーザ構造を成長しPL測定の比較を行ったので報告する。