[19a-PA4-1~14] 16.3 シリコン系太陽電池

[19a-PA4-5] Cat-CVD法のNH₃系ラジカル処理によるSiN_x膜のパッシベーション性能の変化

〇住友 誠明¹、大平 圭介¹ (1.北陸先端大)

キーワード：窒化シリコン、触媒化学気相堆積法、ラジカル処理

Cat-CVD装置でのNH₃系ラジカル処理がSiN_x膜のパッシベーション性能に与える影響について、触媒体温度、ガス流量、圧力に対する依存性を調査した。触媒体温度1500 °C以下では1 ms程度のτ_effが得られたが、触媒体温度2100 °Cではτ_effは1 msを下回った。これは処理中に触媒体のタングステンが混入した可能性が考えられる。NH₃系ラジカルにSi表面を曝露する際、適切な処理条件の選定が必要である。