[19a-PB3-1~25] 13.8 光物性・発光デバイス

[19a-PB3-8] リン（P）ドーピングした鉄シリサイドのPL発光特性

〇秋山 賢輔^1,2、野島 咲子¹、高橋 亮¹、舟窪 浩² (1.神奈川産技総研、2.東工大物質理工)

キーワード：鉄シリサイド、フォトルミネッセンス

シリサイド半導体の一つである鉄シリサイド半導体(β-FeSi₂)において、我々は窒素（N）をドーピングすることでPL発光強度の温度消光特性が改善し、290Kまでの発光を報告した。このNドーピングの効果は、電気陰性度の大きさに起因すると考えられる、本発表では、有機金属気相成長(MOCVD)法で合成したβ-FeSi₂において、PをドーピングすることでPL発光の温度消光特性が改善されPL発光強度の増大化が観察されることを報告する。