[19a-PB5-1~19] 15.3 III-V-group epitaxial crystals, Fundamentals of epitaxy

[19a-PB5-1] Evaluation of GaAsN using photoconductivity measurements at room temperature

〇Koichiro Shimizu¹, Kojiro Otake¹, Takashi Tsukasaki¹, Miki Fujita², Toshiki Makimoto¹ (1.Waseda Univ., 2.NIT, Ichinoseki College)

Keywords:GaAsN, photoconductivity, composition fluctuation

低い窒素組成のGaAsNは、窒素組成の増加に伴って、バンドギャップエネルギーが減少する性質をもつため、GaAs基板上での多接合型太陽電池の1.0 eV帯への応用が期待されている。そこで、本研究では、室温における光伝導度測定を用いて、GaAsNを評価したので、その結果について報告する。