[19a-PB5-1~19] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[19a-PB5-2] PL測定を用いたアンドープGaAsNにおける局在準位の評価

〇大竹 浩二朗¹、清水 光一郎¹、塚崎 貴司¹、藤田 実樹²、牧本 俊樹¹ (1.早大理工、2.一関高専)

キーワード：GaAsN、PL、局在準位

GaAsNはGaAsよりも太陽光を吸収するエネルギー領域が広いことから、多接合の太陽電池材料として期待されている。このGaAsNでは、PLピークエネルギーが温度とともに高エネルギー側へ変化するS-Shape特性が報告されている。^[1,2]そして、このS-Shape特性を示す原因として局在準位の存在が指摘されているが、局在準位に関する詳細な報告は少ない。そこで、本研究では、PLスペクトルの温度依存性を評価することにより、GaAsN中の局在準位における発光機構について考察したので報告する。