2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(ポスター講演)

15 結晶工学 » 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[19a-PB5-1~19] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

2019年9月19日(木) 09:30 〜 11:30 PB5 (第二体育館)

09:30 〜 11:30

[19a-PB5-11] 歪Al0.40In0.60Sb/Al1-yInySbステップバッファを用いたGa1-xInxSb量子井戸チャネルの電子輸送特性

平岡 瑞穂1、遠藤 勇輝1、大澤 幸希1、岸本 尚之1、林 拓也1、町田 龍人1、渡邊 一世2、山下 良美2、原 紳介2、後藤 高寛2、笠松 章史2、遠藤 聡1、藤代 博記1 (1.東理大基礎工、2.情報通信研究機構)

キーワード:高電子移動度トランジスタ、量子井戸、歪ステップバッファ

GaAs(100)基板上に成長させた歪Al0.40In0.60Sb/Al1-yInySbステップバッファ層を用いた無歪Ga1-xInxSb量子井戸(QW)チャネルの電子輸送特性を調べた。下部Al1-yInySbのIn組成を大きくすることでシート電子密度および電子移動度の増大が確認された。結果は、歪Al0.40In0.60Sb/Al0.25In0.75Sbステップバッファを用いた無歪Ga0.22In0.78Sb QWチャネルがInSb系HEMTの性能向上に有用であることを示唆している。