[19a-PB5-1~19] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[19a-PB5-10] 歪超格子バッファがInSb HEMTの表面形態と電気的特性に与える影響

〇林 拓也¹、大坪 拓史¹、岸本 尚之¹、遠藤 勇輝¹、平岡 瑞穂¹、渡邊 一世²、山下 良美²、原 紳介²、後藤 高寛²、笠松 章史²、遠藤 聡¹、藤代 博記¹ (1.東理大基礎工、2.情報通信研究機構)

キーワード：高電子移動度トランジスタ、半導体、結晶成長

InSbは電子の有効質量が小さく電子移動度が高いことから、HEMTのチャネル材料として期待されている。しかし、InSbには格子整合する適当な基板が存在しないため、GaAs基板上に成長させることが多い。その際に、多量の転位が発生し、転位が電子の散乱源となって電気的特性の劣化が起こる。そこで、SLS構造(InSb/Al_0.15In_0.85Sb）の周期数とSLS各層のInSb層厚を変えてHEMT構造を成長し、表面形態と電気的特性への影響を調べ、特性向上に適するバッファ構造を探索した。