[19a-PB5-1~19] 15.3 III-V-group epitaxial crystals, Fundamentals of epitaxy

[19a-PB5-9] Effects of Channel Scaling on Electron Transport Properties of Sb-based HEMT Structures

〇Naoyuki Kishimoto¹, Kumasaka Kounosuke¹, Endoh Yuki¹, Hayashi Takuya¹, Hiraoka Mizuho¹, Shirai Shusaku¹, Yoshida Naofumi¹, Machida Ryuto¹, Watanabe Issei², Yamashita Yoshimi², Hara Shinsuke², Gotow Takahiro², Kasamatsu Akifumi², Fujishiro Hiroki¹, Endoh Akira¹ (1.TUS, 2.NICT)

Keywords:HEMT, Molecular Beam Epitaxy, Quantum well

遮断周波数の向上には、小さな電子有効質量（m^＊）及び高い電子移動度（μ）を有するSb系材料が期待される。本研究では、InSbとGaInSbチャネルのチャネルスケーリングに対する適合性を調査した。 GaInSbチャネルはm^*が大きいためμが小さくなるが、伝導帯不連続が大きいためシート電子濃度も大きくなる。 GaInSb HEMT構造は、チャネル及びスペーサ膜厚が減少しても、より小さなシート抵抗が得られ、チャネル材料としてのの優位性を示している。