[19a-PB5-1~19] 15.3 III-V-group epitaxial crystals, Fundamentals of epitaxy

[19a-PB5-8] Influence of Al Irradiation on InSb Dots Density on GaSb Thin Film

〇Takashi Tsuchiya¹, Daichi Fukagawa¹, Ryuto Machida¹, Akira Endoh¹, Hiroki Fujishiro¹ (1.Tokyo Univ of Science.)

Keywords:InSb

InSbドット成長前処理としてGaSb薄膜表面上にAl又はAlとSbを数原子層照射し、Inのマイグレーション及びInSbドット成長に与える影響を調査した。結果、Alのみ照射した場合、Alの被覆率増加に伴って密度が増加し、AlとSbの同時照射した場合、Alの被覆率増加に伴って密度が減少した。