[19a-PB5-1~19] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

△ [19a-PB5-13] 成長温度の異なるGaAsSb/GaAs(001)の格子緩和異方性評価

〇久保 幸士朗¹、野川 翔太¹、河野 将大¹、佐々木 拓生²、高橋 正光²、鈴木 秀俊¹ (1.宮崎大学、2.量子科学研)

キーワード：GaAsSb、3DRSM、MBE