[19a-PB5-1~19] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[19a-PB5-14] InP基板上のInAs/GaAsSb type-Ⅱ超格子構造を用いた中赤外LEDの作製

〇宇野 江¹、飯嶋 直人¹、山口 浩一¹ (1.電通大院基盤理工)

キーワード：半導体、type-II構造、中赤外発光