[19a-PB5-1~19] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[19a-PB5-15] 液滴エピタキシー法によるInAs/InP(111)A量子ドットの自己形成における高温結晶化過程の導入

〇間野 高明¹、ハ ヌル¹、黒田 隆¹、野田 武司¹、佐久間 芳樹¹、迫田 和彰¹ (1.物材機構)

キーワード：量子ドット、液滴エピタキシー、分子線エピタキシー

我々は、通信波長帯において量子もつれ光子対を発生する面内対称性の高い量子ドットを作製することを目的に、液滴エピタキシー法によるInP(111)A基板上のInAs量子ドットの自己形成の研究を行っている。本講演では、量子ドット品質の向上を目的に、液滴結晶化温度の高温化を試みて、基板温度350℃の結晶化でも量子ドット形成が可能であることを明らかにしたので報告する。