[19a-PB5-1~19] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[19a-PB5-18] 有機金属気相エピタキシー成長中におけるGaN(0001)表面のステップ端での吸着・脱離の挙動に関する理論的検討

〇相可 拓巳¹、秋山 亨¹、プラディプト アブドルムィッツ¹、中村 浩次¹、伊藤 智徳¹ (1.三重大院工)

キーワード：ステップフロー成長、エーリッヒ・シュワーベルバリアー、吸着・脱離

MOVPE 成長を想定した場合でのステップ端を含むGaN(0001)表面におけるGa およびN 原子の吸着・脱離およびマイグレーションの挙動を明らかにし、ESB とステップフロー成長との関係性を検討する。