[19p-B01-1~6] パワーエレクトロニクスと薄膜・表面技術〜省エネルギー社会に向けて〜

[19p-B01-4] GaNパワーデバイスの実用化に向けた準備状況について

〇田中 敦之^1,2、安藤 悠人³、高橋 昌大³、三浦 史也³、川崎 晟也³、渡邉 浩崇¹、久志本 真希³、出来 真斗¹、新田 州吾¹、本田 善央¹、天野 浩^1,2,4,5 (1.名大未来材料・システム研究所、2.物材機構、3.名大院工、4.名大赤崎記念研究センター、5.名大VBL)

キーワード：窒化ガリウム、パワーデバイス

近年、GaN自立基板の品質が向上しつつあり、GaN on GaNでのパワーデバイスに関する研究も盛んである。我々も結晶成長から加工、結晶評価、プロセス、デバイス評価と様々な分野の研究に取り組んでいる。本講演ではGaN基板のスライスや転位観察、イオン注入によるp型の形成、各面方位でのデバイス特性等、GaNパワーデバイスに関する取り組みを紹介し、GaNという材料がパワーデバイスでの実用化に対してどの程度進んできているのかについての紹介としたい。