[19p-B01-1~6] パワーエレクトロニクスと薄膜・表面技術〜省エネルギー社会に向けて〜

[19p-B01-5] SiCパワーデバイスを支える薄膜・表面技術

〇木本 恒暢¹ (1.京大工)

キーワード：パワーデバイス、SiC

SiCは次世代の高耐圧・低損失パワー半導体として注目され、SiCパワーMOSFETとショットキー障壁ダイオードの量産が始まった。本報告では、SiCパワー半導体のエピタキシャル成長と酸化膜形成に注目し、その基礎技術、物理的理解、および今後の課題について概説する。