[19p-B01-1~6] パワーエレクトロニクスと薄膜・表面技術〜省エネルギー社会に向けて〜

[19p-B01-6] SiCパワーデバイスの実用化とその応用機器の開発

〇大森 達夫¹ (1.三菱電機　開発本部)

キーワード：SiC　パワーデバイス、パワーエレクトロニクス

本報告では、3.3kV-SiC-MOSFET開発を皮切りに、各種応用機器開発に展開した事例について紹介する。まず実用化に必要なSOAや長期安定性などの信頼性を含めたデバイス高性能化を、JFETドーピングなどのデバイス構造やエピ技術開発により実現した。鉄道車両用推制御装置に適用し従来に比べ約30%の省エネ化と約65%の体積低減を実現した。またSBD内蔵SiC-MOSFETを開発しインバータ回路を従来の約1/2のチップ面積で実現した。HVDC変換器への適用例についても述べる。