[19p-B11-1~8] Interfacial Nano Electrochemistry - Diversification of Semiconductor Wet Process

[19p-B11-3] Consideration of surface reaction mechanism for III V compound semiconductor in water

〇Kenya Nishio¹, Takashi Oinoue¹, Suguru Saito¹, Yoshiya Hagimoto¹, Hayato Iwamoto¹, Yuuich Ogawa², Junichi ida² (1.Sony semiconductor Solutions Corp., 2.Kurita Water Industries LTD.)

Keywords:III V compound semiconductor, InP, In2O3

先端Logic向けにⅢⅤ族半導体材料の開発が進められている。我々は、これまでInPについて、表面に形成されるIn₂O₃は純水中で成長し、デバイスの界面特性に影響を与えることを明らかにした。本検討では、InPの酸化反応には純水中のOH^-基が関与していることを考慮して、ORPが低い水素水の低pH領域におけるIn₂O₃成長挙動を評価した。結果として、水素水にHClやHNO₃を添加した低pH条件では、水素水のみの条件よりもIn₂O₃の成長が抑制されることが分かった。