[19p-B11-1~8] 界面ナノ電子化学『多様化する半導体ウェットプロセス』

[19p-B11-4] フッ硝酸を用いたSiエッチングにおけるソーマーク段差平坦化メカニズムの解明

〇深谷 天¹、大井上 昂志¹、齋藤 卓¹、萩本 賢哉¹、岩元 勇人¹ (1.ソニーセミコンダクタソリューションズ)

キーワード：Siエッチング、フッ硝酸、ソーマーク

Si基板バックグラインド後のソーマーク段差平坦化およびダメージ層の除去には、フッ硝酸によるSiエッチングプロセスが用いられている。ダメージ層の除去は一定のエッチング量を確保することにより達成されるが、ソーマーク段差の平坦化挙動については、これまで詳細な検討は行われていない。本研究では規則的なSi段差パターンを形成したサンプルを用いて、Si段差が平坦化される挙動について定量的な考察を行った。