[19p-E206-1~19] 3.15 Silicon photonics

[19p-E206-11] Thermal Resistance Dependance of Optical Gain in III-V / Si Hybrid SOA for High Efficiency Operation

〇takayuki miyazaki¹, takuya mitarai¹, Eissa Moataz¹, amemiya tomohiro^1,2, nishiyama nobuhiko^1,2 (1.Tokyo tech, 2.FIRST)

Keywords:semiconductor, semiconductor optical amplifier, thermal resistance

大規模な光集積回路の実現に向けた有効なアプローチとしてSiプラットフォーム上へのIII-V族半導体集積が注目を集めている。我々は、直接接合技術を用いたIII-V/SOIハイブリッドデバイスを提案している。これまでにハイブリッドレーザの他、ハイブリッド光増幅器（SOA）を作製し、測定を行っているが、わずか数kA/cm²での利得飽和が観測され、我々は熱抵抗が主な原因であると考えている。今回、ハイブリッドレーザの光学利得について熱抵抗依存性に関する解析を行ったので、ご報告する。