[19p-E206-1~19] 3.15 シリコンフォトニクス

[19p-E206-14] Si上に選択成長したGeメサ側壁におけるSi保護膜との混晶化

〇(M2)川下 和樹¹、片廻 陸¹、Sotto Moïse¹、石川 靖彦¹ (1.豊橋技科大)

キーワード：ゲルマニウム、シリコンゲルマニウム、自然形成

Si上にエピタキシャル成長したGe層は、シリコンフォトニクスにおける受光器材料として利用されており、光変調器やレーザーへの応用も検討されている。本研究では、選択成長したGeメサ構造の側壁において、Si保護膜形成時にSiGe混晶が自然形成されることを報告する。自然形成SiGe層を用いたバンドエンジニアリングについて議論する