[19p-E206-1~19] 3.15 シリコンフォトニクス

[19p-E206-16] バルクシリコン基板上SiN_x光導波路の検討

〇(M2)小山田 亮太¹、上野 湧希¹、佐々木 駿²、中井 哲弥²、石川 靖彦¹ (1.豊橋技科大、2.SUMCO)

キーワード：光導波路、窒化シリコン

シリコンフォトニクスにおいて、SOI(Si-on-insulator)基板がデバイス作製に広く利用されている。一方、電子回路と同様なバルクSi基板を利用できれば、生産性・コストに優位性がある。これまでにSiN_x/SiO₂/バルクSi構造を検討してきた。今回はSiN_xスパッタ膜が光導波路として機能することを確認するとともに、Ge受光器との集積化の観点からSiO₂下部クラッドの薄層化を検討した。