[19p-E214-1~12] 22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」

△ [19p-E214-8] X線非弾性散乱法で観測される低エネルギー側Bulk SiGeフォノンスペクトルの考察

〇横川 凌^1,2、竹内 悠希¹、吉岡 和俊¹、荒井 康智³、内山 裕士⁴、富田 基裕^1,5、小椋 厚志¹ (1.明治大理工、2.学振特別研究員DC、3.JAXA、4.JASRI、5.早稲田大理工)

キーワード：X線非弾性散乱、SiGe、局在振動モード

SiGeは次世代半導体および熱電デバイスへの応用が期待されているもののフォノン散乱機構は複雑である。ラマン分光法によって光学・音響フォノンのみならず幾つかの局在振動モードが報告されているが、未だ不明瞭な部分が多い。そこで本研究では、SiGeにおけるフォノン散乱機構を理解するためにX線非弾性散乱法を用いて評価を行った結果、低エネルギー側に新たなフォノンスペクトルを出現することを発見したので報告する。