2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[19p-E304-1~13] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

2019年9月19日(木) 13:45 〜 17:15 E304 (E304)

角嶋 邦之(東工大)、羽深 等(横国大)

16:15 〜 16:30

[19p-E304-10] ハーフインチサイズパッケージのレーザビア接続信頼性

居村 史人1,2、井上 道弘1、クンプアン ソマワン1,2、原 史朗1,2 (1.産総研、2.ミニマルファブ)

キーワード:ミニマルファブ

ミニマルファブのパッケージングプロセスを開発している。Siウェハ上の電極パッドからパッケージの外部端子まで配線を引き出し、電気的導通を確実に得るために、ハーフインチウェハのボンディング、モールディング、レーザビア、モールド上再配線形成のプロセス開発を行い、ビア導通を評価してきた。今回、ビア形状を解析し、ビアの接続信頼性について評価したので報告する。