2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[19p-E304-1~13] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

2019年9月19日(木) 13:45 〜 17:15 E304 (E304)

角嶋 邦之(東工大)、羽深 等(横国大)

16:30 〜 16:45

[19p-E304-11] ミニマルファブを用いたダイヤモンドウェハのデバイスプロセス

根本 一正1、谷島 孝1、田中 宏幸1、野田 周一1、クンプアン ソマワン1,2、原 史朗1,2 (1.産総研、2.ミニマル推進機構)

キーワード:ミニマルファブ、ダイヤモンドウェハ

多品種少量向けデバイス製造システムとして開発、実用化されたミニマルファブで、新材料であるダイヤモンドを用いて、デバイスプロセスの可能性について評価を進めている。今回、ダイオードなどのデバイスプロセスをミニマルファブで開発する目途がたったので、報告をする。