[19p-E304-1~13] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[19p-E304-12] ミニマルTiN反応性スパッタ装置の成膜特性（３）

〇野田 周一¹、古賀 和博²、根本 一正¹、薮田 勇気³、山本 直子³、亀井 龍一郎³、クンプアン ソマワン^1,2、原 史朗^1,2 (1.産総研、2.ミニマルファブ推進機構、3.誠南工業（株）)

キーワード：ミニマルファブ、TiN反応性スパッタ、TiN ゲート SOI CMIS

ミニマルTiNメタルゲートSOI CMOSプロセス（テクノロジー2018）に適用するTiN反応性スパッタ装置およびプロセス開発を進めている。TiN反応性スパッタではプロセス中の酸素を極力低減する必要があるが、今回、生産に適用できる膜質安定性を得るための、ウエハ搬送を含む自動シーケンスの最適化を検討した結果を述べる。