2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[19p-E304-1~13] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

2019年9月19日(木) 13:45 〜 17:15 E304 (E304)

角嶋 邦之(東工大)、羽深 等(横国大)

14:30 〜 14:45

[19p-E304-4] ミニマルファブにおける0.5μmデザインルール実現に向けたレジストパター二ングの予備検討

佐藤 和重1,3、古賀 和博1、野田 周一1,2、クンプアン ソマワン1,2、原 史朗1,2 (1.ミニマルファブ推進機構、2.産総研、3.坂口電熱)

キーワード:ミニマルファブ

ミニマルファブにおける0.5μmデザインルール実現に向け、既存のミニマルファブのホトリソグラフィー技術でレイアウト0.5μmのViaが形成できるか検討した。今回、露光装置の露光量を変えることによりレイアウト0.5μmのViaを光学顕微鏡で観察した結果、開口していることを確認した。