[19p-E304-1~13] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[19p-E304-5] ミニマル集光加熱炉を用いたH₂シンタリングプロセスの特性

〇三浦 典子^1,2、佐藤 和重¹、居村 史人^1,3、山田 武史^1,2、相澤 洸^1,2、池田 伸一^1,3、石田 夕起^1,3、大西 康弘^1,2、クンプアン ソマワン^1,3、原 史朗^1,3 (1.ミニマルファブ推進機構、2.米倉製作所、3.産総研)

キーワード：ミニマルファブ、H2シンタリング、加熱炉

我々はミニマル加熱装置として、抵抗加熱炉、レーザ加熱炉、集光加熱炉の3種類の異なる加熱方式の装置を開発しており、既に、ゲート酸化プロセスでは、いずれの加熱装置でも実用レベルのトランジスタ特性を得ている。一方、H₂シンタリングプロセスでは、レーザ加熱炉以外での評価は行っていなかった。本研究では、ミニマル集光加熱炉でH2シンタリング処理を行い、その特性について報告する。