[19p-E305-1~15] 13.3 絶縁膜技術

[19p-E305-1] SiC C面上熱酸化膜の密度評価

〇飯岡 暁¹、蓮沼 隆¹ (1.筑波大)

キーワード：半導体、SiC、酸化膜

SiC基板上熱酸化膜において、その形成過程で生じる炭素不純物が電気的特性に与える影響が懸念されている。界面近傍のみならず、酸化膜中に欠陥が生成されていることも考えられる。そこで我々は熱酸化膜の膜密度を膜厚方向分布での評価をして、電気的特性との相関を調査した。SiとSiCの結果を比較するとSiCは界面から少し離れた領域ではSiと異なり、低密度の領域が見られる。これは炭素クラスターが酸化反応により、酸化膜外に脱離し、膜中に空隙が出来たためと考えられる。