[19p-E305-1~15] 13.3 絶縁膜技術

△ [19p-E305-14] 新規電子デバイス応用に向けたGeゲートスタックの低温(<300°C)形成

〇(M2)井芹 健人¹、温 偉辰¹、山本 圭介¹、王 冬¹、中島 寛² (1.九大総理工、2.九大・グローバルイノベーションセンター)

キーワード：半導体、Ge、ゲートスタック