[19p-E305-1~15] 13.3 Insulator technology

△ [19p-E305-2] Quantitative Analysis of Plasma-induced Defect Density in Si-based Dielectric Films Using Conductance Method

〇Tomohiro Kuyama¹, Keiichiro Urabe¹, Koji Eriguchi¹ (1.Kyoto Univ.)

Keywords:plasma-induced defects, conductance method, Si-based dielectrics

半導体プラズマプロセスでは，加工中の高エネルギーイオン入射により材料表面近傍に欠陥（プラズマ誘起欠陥）が形成される．これまで絶縁膜中の固定電荷型欠陥の評価が進められてきたが，リーク電流増加に寄与する電子捕獲・放出型欠陥の評価は不十分であった．本発表では，等価回路モデルを用いたコンダクタンス法によるSi系絶縁膜中の欠陥面密度および欠陥の電子捕獲放出時定数の定量手法を提案する．